SI6926ADQ-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
额定功率 830 mW
漏源极电阻 0.03 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP
外形尺寸
高度 1 mm
封装 TSSOP
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI6926ADQ-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI6926ADQ-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | 双N沟道2.5 V G -S MOSFET Dual N-Channel 2.5-V G-S MOSFET | 搜索库存 |