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SI3932DV-T1-GE3

SI3932DV-T1-GE3

数据手册.pdf

双N沟道30 V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 30 V D-S MOSFET

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 6-Pin TSOP T/R


富昌:
Si3932DV 系列 双 N-沟道 30 V 58 mOhm 1.4 W 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 6-Pin TSOP T/R


Newark:
# VISHAY  SI3932DV-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 3.7 A, 30 V, 0.047 ohm, 10 V, 1.2 V


儒卓力:
**N+N-FET 3,7/3,3A 30V TSOP-6 **


SI3932DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.047 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.4 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

封装 TSOP-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

SI3932DV-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI3932DV-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 双N沟道30 V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 30 V D-S MOSFET 搜索库存