SI1902DL-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.32 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 270 mW
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 16 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 SC-70
外形尺寸
封装 SC-70
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI1902DL-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI1902DL-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 双N沟道20 V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 20 V D-S MOSFET | 搜索库存 |