SP8K4TB
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
SP8K4TB中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 9.00 A
极性 N-CH
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 15.0 ns
输入电容Ciss 1190pF @10VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SP8K4TB引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SP8K4TB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SP8K4TB 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOIC N-CH 30V 9A | 当前型号 | SOP N-CH 30V 9A | 当前型号 |
| 型号： SP8K4FU6TB 品牌： 罗姆半导体 封装： SOP N-Channel 9A | 功能相似 | ROHM SP8K4FU6TB 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9 A, 30 V, 24 mohm, 10 V, 2.5 V | SP8K4TB和SP8K4FU6TB的区别 |