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SI1024X-T1-GE3

SI1024X-T1-GE3

数据手册.pdf

双N通道20 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 20-V D-S MOSFET

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R


Allied Electronics:
Dual N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SOT-563 T/R


富昌:
双 N沟道 20 V 0.7 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOT-563


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R


Newark:
# VISHAY  SI1024X-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 485 mA, 20 V, 0.41 ohm, 4.5 V, 450 mV


SI1024X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.41 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 250 mW

阈值电压 450 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 600 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-89-6

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI1024X-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI1024X-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 双N通道20 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 20-V D-S MOSFET 搜索库存