SI1034X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 10 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 mW
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 200 mA
上升时间 25 ns
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
引脚数 3
封装 SC-89
外形尺寸
高度 0.6 mm
封装 SC-89
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1034X-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1034X-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N通道20 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 20-V D-S MOSFET | 搜索库存 |