SM6K2T110
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
SM6K2T110中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 200 mA
漏源极电阻 2.80 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 0.3 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
上升时间 5.00 ns
输入电容Ciss 15pF @10VVds
额定功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
封装 SOT-457
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SM6K2T110引脚图与封装图 
SM6K2T110引脚图
SM6K2T110封装图
SM6K2T110封装焊盘图