SH8K22TB1
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
SH8K22TB1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 45 V
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 550pF @10VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 12 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SH8K22TB1引脚图与封装图 
SH8K22TB1引脚图
SH8K22TB1封装图
SH8K22TB1封装焊盘图