SH8J65TB1
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
SH8J65TB1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 1200pF @10VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 65 ns
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SH8J65TB1引脚图与封装图 
SH8J65TB1引脚图
SH8J65TB1封装图
SH8J65TB1封装焊盘图
替代型号SH8J65TB1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SH8J65TB1 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 8-SOIC 4V | 当前型号 | MOSFET P-CH DUAL 30V 7A SOP8 | 当前型号 |
| 型号： SP8J65TB1 品牌： 罗姆半导体 封装： 8-SOIC | 完全替代 | MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC | SH8J65TB1和SP8J65TB1的区别 |
| 型号： AO4813 品牌： 万代半导体 封装： 8-SOIC P-CH 30V 7.1A | 功能相似 | 二极管与整流器 | SH8J65TB1和AO4813的区别 |