SH8K32TB1
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
SH8K32TB1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 55 mΩ
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 500pF @10VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SH8K32TB1引脚图与封装图 
SH8K32TB1引脚图
SH8K32TB1封装图
SH8K32TB1封装焊盘图