SPB80N10L G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPB80N10L G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 80.0 A
耗散功率 250 W
输入电容 4.54 nF
栅电荷 240 nC
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 4540pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPB80N10L G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SPB80N10L G | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3Pin2+Tab TO-263 | 搜索库存 |