SPB10N10L G

Infineon(英飞凌) 分立器件

MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263

N-Channel 100V 10.3A Tc 50W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263

SPB10N10L G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -10.3 A

耗散功率 50W Tc

输入电容 444 pF

栅电荷 22.0 nC

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 10.3 A

输入电容Ciss 444pF @25VVds

额定功率Max 50 W

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPB10N10L G引脚图与封装图

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