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SPP80N04S2-H4

SPP80N04S2-H4

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

N-Channel 40V 80A Tc 300W Tc Through Hole PG-TO220-3-1


得捷:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3


Win Source:
OptiMOS Power-Transistor


SPP80N04S2-H4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 80.0 A

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

输入电容 5.89 nF

栅电荷 148 nC

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

输入电容Ciss 5890pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3-1

外形尺寸

封装 TO-220-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

SPP80N04S2-H4引脚图与封装图
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SPP80N04S2-H4 Infineon 英飞凌 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor 搜索库存
替代型号SPP80N04S2-H4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPP80N04S2-H4

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220 N-CH 40V 80A 5.89nF

当前型号

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

当前型号

型号: SPP80N04S2-04

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-CH 40V 80A 6.98nF

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