SPD07N20
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPD07N20中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 7.00 A
通道数 1
漏源极电阻 400 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 40 W
阈值电压 3 V
输入电容 530 pF
栅电荷 31.5 nC
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 530pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPD07N20引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SPD07N20
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPD07N20 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252 N-CH 200V 7A 530pF | 当前型号 | SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor | 当前型号 |
| 型号： SPD07N20G 品牌： 英飞凌 封装： DPAK N-Channel | 功能相似 | Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | SPD07N20和SPD07N20G的区别 |