SPU07N60S5
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPU07N60S5中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 7.30 A
极性 N-CH
耗散功率 83000 mW
输入电容 970 pF
栅电荷 35.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 7.30 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 970pF @25VVds
额定功率Max 83 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPU07N60S5引脚图与封装图
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在线购买SPU07N60S5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPU07N60S5 | Infineon 英飞凌 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | 搜索库存 |
替代型号SPU07N60S5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPU07N60S5 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-251 N-CH 600V 7.3A 970pF | 当前型号 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | 当前型号 |
| 型号： SPU07N60C2 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | SPU07N60S5和SPU07N60C2的区别 |