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SPP100N06S2-05

SPP100N06S2-05

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

N-Channel 55V 100A Tc 300W Tc Through Hole PG-TO220-3-1


得捷:
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3


Win Source:
OptiMOS Power-Transistor


SPP100N06S2-05中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 100 A

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

输入电容 6.80 nF

栅电荷 170 nC

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 100 A

输入电容Ciss 6800pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3-1

外形尺寸

封装 TO-220-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

SPP100N06S2-05引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPP100N06S2-05 Infineon 英飞凌 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor 搜索库存
替代型号SPP100N06S2-05
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPP100N06S2-05

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220 N-CH 55V 100A 6.8nF

当前型号

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

当前型号

型号: SPP100N06S2L-05

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-CH 55V 100A 7.53nF

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