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SPD30N08S2L-21

SPD30N08S2L-21

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

表面贴装型 N 通道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11


得捷:
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3


Win Source:
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK


SPD30N08S2L-21中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 75.0 V

额定电流 30.0 A

极性 N-CH

耗散功率 136W Tc

输入电容 2.13 nF

栅电荷 72.0 nC

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

输入电容Ciss 2130pF @25VVds

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

SPD30N08S2L-21引脚图与封装图
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