SPB80N03S2L-04 G

Infineon(英飞凌) 分立器件

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

N-Channel 30V 80A Tc 188W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

SPB80N03S2L-04 G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 80.0 A

耗散功率 188W Tc

输入电容 3.90 nF

栅电荷 105 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

耗散功率Max 188W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPB80N03S2L-04 G引脚图与封装图

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