SPB100N08S2-07
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPB100N08S2-07中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 75.0 V
额定电流 100 A
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
输入电容 6.02 nF
栅电荷 200 nC
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 100 A
输入电容Ciss 6020pF @25VVds
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3-2
外形尺寸
封装 TO-263-3-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
SPB100N08S2-07引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPB100N08S2-07 | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号SPB100N08S2-07
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SPB100N08S2-07 品牌： Infineon 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 75V 100A 6.02nF | 当前型号 | 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPB100N08S2-07 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 N-CH 75V 100A | 功能相似 | OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor | SPB100N08S2-07和IPB100N08S2-07的区别 |
| 型号： IPB100N08S2L-07 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 75V 100A | 功能相似 | OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor | SPB100N08S2-07和IPB100N08S2L-07的区别 |