STP120N10F4中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 300W Tc
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
STP120N10F4引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP120N10F4 | ST Microelectronics 意法半导体 | MOSFET N-CH 100V TO-220 | 搜索库存 |