SPB100N03S2-03 G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPB100N03S2-03 G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 A
通道数 1
漏源极电阻 3.3 mΩ
耗散功率 300 W
输入电容 7.02 nF
栅电荷 150 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 7020pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 39 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPB100N03S2-03 G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SPB100N03S2-03 G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 搜索库存 |