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SPU08P06P

SPU08P06P

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

通孔 P 通道 60 V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO251-3


得捷:
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO251-3


Win Source:
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251


SPU08P06P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -8.80 A

极性 P-CH

耗散功率 42W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 8.80 A

上升时间 46.0 ns

输入电容Ciss 420pF @25VVds

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPU08P06P引脚图与封装图
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