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STI24NM65N

STI24NM65N

数据手册.pdf

N 通道 MOSFET,已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。

N 通道 MOSFET,已停产


得捷:
MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK


欧时:
STMicroelectronics N沟道 MOSFET 晶体管 STI24NM65N, 19 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAK封装


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK / N-Channel 650 V 19A Tc 160W Tc Through Hole I2PAK


STI24NM65N中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 160W Tc

漏源极电压Vds 650 V

输入电容Ciss 2500pF @50VVds

额定功率Max 160 W

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STI24NM65N引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STI24NM65N ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MOSFET,已停产 ### MOSFET - N 沟道 金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。 搜索库存