STI24NM65N中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 160W Tc
漏源极电压Vds 650 V
输入电容Ciss 2500pF @50VVds
额定功率Max 160 W
耗散功率Max 160W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STI24NM65N引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STI24NM65N | ST Microelectronics 意法半导体 | N 通道 MOSFET,已停产 ### MOSFET - N 沟道 金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。 | 搜索库存 |