STD8NM60N-1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 560pF @50VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 2.4 mm
高度 6.2 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STD8NM60N-1引脚图与封装图
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在线购买STD8NM60N-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD8NM60N-1 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600 V ， 0.56 Ω ， 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK | 搜索库存 |
替代型号STD8NM60N-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STD8NM60N-1 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： IPak N-Channel 3.5A | 当前型号 | N沟道600 V ， 0.56 Ω ， 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK | 当前型号 |
| 型号： SPB07N60C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-Channel 650V 7.3A | 功能相似 | Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | STD8NM60N-1和SPB07N60C3的区别 |
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