STD5NK52ZD-1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 70W Tc
漏源极电压Vds 520 V
输入电容Ciss 529pF @25VVds
额定功率Max 70 W
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STD5NK52ZD-1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STD5NK52ZD-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD5NK52ZD-1 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO- 220 - DPAK - I2PAK - IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO-220 - DPAK - I2PAK - IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET | 搜索库存 |