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STW30N20

TO-247 N-CH 200V 30A

N-Channel 200V 30A Tc 125W Tc Through Hole TO-247-3


得捷:
MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3


贸泽:
MOSFET STripFET Power MOSFET


STW30N20中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 30.0 A

通道数 1

漏源极电阻 65 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

输入电容 1.60 nF

栅电荷 38.0 nC

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 15.7 ns

输入电容Ciss 1597pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 8.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STW30N20引脚图与封装图
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STW30N20 ST Microelectronics 意法半导体 TO-247 N-CH 200V 30A 搜索库存