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STP30N20

MOSFET N-CH 200V 30A TO-220

N-Channel 200V 30A Tc 125W Tc Through Hole TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 30A TO-220


STP30N20中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 30.0 A

漏源极电阻 65.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 125W Tc

输入电容 1.60 nF

栅电荷 38.0 nC

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 15.7 ns

输入电容Ciss 1597pF @25VVds

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STP30N20引脚图与封装图
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STP30N20 ST Microelectronics 意法半导体 MOSFET N-CH 200V 30A TO-220 搜索库存