STP80NE03L-06中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 80.0 A
漏源极电阻 6.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±22.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 260 ns
输入电容Ciss 8700pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 165 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STP80NE03L-06引脚图与封装图
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在线购买STP80NE03L-06
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP80NE03L-06 | ST Microelectronics 意法半导体 | N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STP80NE03L-06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STP80NE03L-06 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 30V 80A 6mΩ | 当前型号 | N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET | 当前型号 |
| 型号： MTP75N03HDL 品牌： 安森美 封装： TO-220 N-CH 25V 75A | 功能相似 | TO-220 N-CH 25V 75A | STP80NE03L-06和MTP75N03HDL的区别 |