STS4DPFS30L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -5.00 A
通道数 1
漏源极电阻 45 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 1350pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STS4DPFS30L引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STS4DPFS30L | ST Microelectronics 意法半导体 | P沟道30V - 0.07ohm - 4A SO- 8 MOSFET STripFET⑩ PLUS肖特基整流器 P-CHANNEL 30V - 0.07ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER | 搜索库存 |