STS25NH3LL-E中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 25.0 A
漏源极电阻 3.20 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±18.0 V
连续漏极电流Ids 25.0 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 4450pF @25VVds
额定功率Max 3.2 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STS25NH3LL-E引脚图与封装图
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| STS25NH3LL-E | ST Microelectronics 意法半导体 | MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC | 搜索库存 |