STW30NM60D中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 30.0 A
耗散功率 312 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 2520pF @25VVds
额定功率Max 312 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 312W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STW30NM60D引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STW30NM60D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STW30NM60D | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600V - 0.125 - 30A TO- 247快速二极管的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247 Fast Diode MDmesh MOSFET | 搜索库存 |