STD1HNC60T4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 2.00 A
耗散功率 50W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 8.50 ns
输入电容Ciss 228pF @25VVds
额定功率Max 50 W
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
STD1HNC60T4引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD1HNC60T4 | ST Microelectronics 意法半导体 | N-CHANNEL 600V 4Ω 2A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET | 搜索库存 |