STD50NH02L-1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 24.0 V
额定电流 50.0 A
极性 N-CH
耗散功率 60W Tc
漏源极电压Vds 24 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 130 ns
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
额定功率Max 60 W
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STD50NH02L-1引脚图与封装图
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在线购买STD50NH02L-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD50NH02L-1 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STD50NH02L-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STD50NH02L-1 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： IPAK N-CH 24V 50A | 当前型号 | N沟道24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STD50NH02L 品牌： 意法半导体 封装： | 功能相似 | N沟道24V - 0.0085欧姆 - 50A DPAK / IPAK STripFET⑩ III功率MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 50A DPAK/IPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET | STD50NH02L-1和STD50NH02L的区别 |