STW20NB50中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 20.0 A
通道数 1
漏源极电阻 250 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 250 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 4700pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
STW20NB50引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STW20NB50 | ST Microelectronics 意法半导体 | N - CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A - TO- 247 MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A - TO-247 PowerMESH MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STW20NB50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STW20NB50 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-247 N-CH 500V 20A | 当前型号 | N - CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A - TO- 247 MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A - TO-247 PowerMESH MOSFET | 当前型号 |
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