STP3NB100中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 3.00 A
极性 N-CH
耗散功率 100W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 12.0 ns
输入电容Ciss 700pF @25VVds
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
STP3NB100引脚图与封装图
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在线购买STP3NB100
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP3NB100 | ST Microelectronics 意法半导体 | N - CHANNEL 1000V - 5.3欧姆 - 3 A - TO- 220 / TO- 220FP的PowerMESH MOSFET N - CHANNEL 1000V - 5.3 ohm - 3 A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STP3NB100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STP3NB100 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220 N-CH 1kV 3A | 当前型号 | N - CHANNEL 1000V - 5.3欧姆 - 3 A - TO- 220 / TO- 220FP的PowerMESH MOSFET N - CHANNEL 1000V - 5.3 ohm - 3 A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET | 当前型号 |
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| 型号： STP8NK100Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 1kV 6.5A 1.6Ω 2.18nF | 类似代替 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STP3NB100和STP8NK100Z的区别 |
| 型号： STP60NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 60A 16mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V | STP3NB100和STP60NF06的区别 |