SI4860DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4860DY-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI4860DY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4860DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |