SI4836DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 3.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.60 W
漏源击穿电压 12.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 25.0 A
上升时间 41 ns
下降时间 115 ns
封装参数
引脚数 8
封装 SO
外形尺寸
封装 SO
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4836DY-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI4836DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 12V 17A 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |