SIR814DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0017 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 40 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIR814DP-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIR814DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIR814DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N沟道40 V （D -S ）的MOSFET N-Channel 40 V D-S MOSFET | 搜索库存 |
替代型号SIR814DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIR814DP-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： N-Channel | 当前型号 | N沟道40 V （D -S ）的MOSFET N-Channel 40 V D-S MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SIR470DP-T1-GE3 品牌： 威世 封装： PowerPAK N-Channel 40V 60A | 功能相似 | VISHAY SIR470DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2.5 V | SIR814DP-T1-GE3和SIR470DP-T1-GE3的区别 |