SI4401DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds -40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -10.5 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI4401DY-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4401DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4401DY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -10.5 A, -40 V, 0.013 ohm, -10 V, -1 V | 搜索库存 |
替代型号SI4401DY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4401DY-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SO P-Channel 40V 10.5A 15.5mΩ | 当前型号 | VISHAY SI4401DY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -10.5 A, -40 V, 0.013 ohm, -10 V, -1 V | 当前型号 |
| 型号： SI4401DDY-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOIC P-Channel | 功能相似 | VISHAY SI4401DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -16.1 A, -40 V, 0.018 ohm, -4.5 V, -1.2 V | SI4401DY-T1-E3和SI4401DDY-T1-GE3的区别 |