SI1406DH-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.053 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 450 mV
漏源极电压Vds 20 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70
外形尺寸
封装 SC-70
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1406DH-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1406DH-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI1406DH-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V | 搜索库存 |