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SI5429DU-T1-GE3

SI5429DU-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI5429DU-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -30 V, 0.0122 ohm, -10 V, -1 V

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


贸泽:
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET


Allied Electronics:
MOSFET P-Ch 30V 11.8A PowerPAK ChipFET8


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 11.8A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R


Newark:
# VISHAY  SI5429DU-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, 12 A, -30 V, 0.0122 ohm, -10 V, -1 V


SI5429DU-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0122 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 31 W

上升时间 25 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 31 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK-ChipFET-8

外形尺寸

长度 3.08 mm

宽度 1.98 mm

高度 0.85 mm

封装 PowerPAK-ChipFET-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI5429DU-T1-GE3引脚图与封装图
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SI5429DU-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI5429DU-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -30 V, 0.0122 ohm, -10 V, -1 V 搜索库存