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SUD50N03-06P-E3

SUD50N03-06P-E3

数据手册.pdf

Trans MOSFET N-CH 30V 84A 3Pin2+Tab DPAK

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin2+Tab DPAK


Allied Electronics:
N-Channel 30-V D-S 175 DEG.C MOSFET


SUD50N03-06P-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0105 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 88 W

输入电容 3100pF @25V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

热阻 1.7℃/W RθJC

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SUD50N03-06P-E3引脚图与封装图
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