SI4880DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 8.50 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.50 W
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids -13.0 A to 13.0 A
上升时间 9 ns
下降时间 30 ns
封装参数
封装 SO
外形尺寸
封装 SO
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4880DY-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI4880DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |