SI7882DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0055 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI7882DP-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7882DP-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7882DP-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 22A, 12V, 5.5mohm, 4.5V, 1.4V | 搜索库存 |