SI4850EY-T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
正向电压 800 mV
极性 N-Channel
耗散功率 1.70 W
漏源击穿电压 60.0V min
上升时间 10 ns
下降时间 12 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
SI4850EY-T1引脚图与封装图
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| SI4850EY-T1 | Vishay Semiconductor 威世 | N沟道减少的Qg ，快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET | 搜索库存 |