SIJ484DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0052 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIJ484DP-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIJ484DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | 搜索库存 |
替代型号SIJ484DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SIJ484DP-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： N-Channel | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | 当前型号 |
| 型号： SIS402DN-T1-GE3 品牌： 威世 封装： PowerPAK N-Channel 30V 35A | 类似代替 | VISHAY SIS402DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 35A POWERPAK, 整卷 | SIJ484DP-T1-GE3和SIS402DN-T1-GE3的区别 |