SI4682DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 30.0 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
封装参数
引脚数 8
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4682DY-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4682DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | 搜索库存 |