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SI4493DY-T1-E3

SI4493DY-T1-E3

数据手册.pdf
SI4493DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

上升时间 150 ns

下降时间 140 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI4493DY-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI4493DY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8Pin SOIC N T/R 搜索库存