SI3424BDV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.1 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
封装 TSOP
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3424BDV-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI3424BDV-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI3424BDV-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET | 搜索库存 |
替代型号SI3424BDV-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SI3424BDV-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： N-Channel 30V 8A | 当前型号 | N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET | 当前型号 |
| 型号： TSM3424CX6 品牌： 台湾半导体 封装： SOT-26 N-Channel 30V 6.7A | 功能相似 | TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM3424CX6 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.4 V | SI3424BDV-T1-E3和TSM3424CX6的区别 |