SI3456BDV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 30.0 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 15 ns
下降时间 10 ns
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3456BDV-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI3456BDV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6Pin TSOP T/R | 搜索库存 |